半导体制冷片,PT1000温度传感器

   该系列半导体制冷模块是为制冷量的而设计的。由于采用了高密度的半导体器件排列方式，从而使其在相同的基板尺寸下获得更大的制冷功率和效率。这种高制冷密度的特性可以使热交换器实现小型化，并且更为有效。

TEM Model No.

Imax

(A)

Vmax

(V)

Tmax

(℃)

Qcmax

(W)

Dimensions(mm)

W1

L1

L2

H

9500/241/060B

6.0

33.1

72

108

55.0

55.0

—

4.16

9500/241/085B

8.5

33.1

72

153

55.0

55.0

—

3.94

9500/391/085B

8.5

53.8

72

248

55.0

55.0

—

3.35

9500/199/100B

10.0

27.4

72

148

40.0

40.0

—

3.35

9500/241/100B

10.0

33.1

72

180

55.0

55.0

—

3.64

9500/337/100B

10.0

46.4

72

252

55.0

55.0

—

3.35

9500/127/120B

12.0

17.5

72

114

39.7

39.7

—

3.45

9505/127/150B

15.0

17.5

72

142

40.0

40.0

—

3.45

9500/131/150B

15.0

18.0

72

147

30.0

60.0

—

3.45

9501/242/160B

16.0

33.3

72

289

55.0

55.0

58.0

3.45

9506/031/600B

60.0

4.3

72

139

55.0

55.0

—

4.85

    金属铂(Pt)的电阻值随温度变化而变化,并且具有很好的重现性和稳定性，利用铂的此种物理特性制成的传感器称为铂电阻温度传感器，通常使用的铂电阻PT1000温度传感器0℃时阻值为1000Ω,100℃时阻值为1385.1Ω，电阻变化率为3.851Ω/℃。铂电阻温度传感器精度高，稳定性好，应用温度范围广，是中低温区（-200～650℃）的一种温度检测器，不仅广泛应用于工业测温，而且被制成各种标准温度计（涵盖国家和世界基准温度）供计量和校准使用。铂电阻Pt1000传感器有良好的长期稳定性,典型实验数据为：在400℃时持续300小时,0℃时的温度漂移为0.02℃。 如表1: